افزایش سرعت رایانه با یک ماده نیمه هادی

اخیرا ماده توسط محققان دانشگاه یوتا ابداع شده، که باعث افزایش سرعت رایانه با یک ماده نیمه هادی که یک اتم ضخیم و متشکل از مونوکسید قلع است. ساختار دو بعدی این ماده اجازه می دهد که برق در سراسر این نیمه هادی سریعتر از نیمه هادی های سیلیکونی امروزی که سه بعدی هستند عبور کند. افزایش سرعت رایانه

روش افزایش سرعت رایانه با یک ماده نیمه هادی

ترانزیستور ها یک نوع وسیله نیمه هادی هستند که برای تغییر و یا تقویت سیگنال های الکتریکی استفاده می شوند؛ ترانزیستورها در رایانه ها، تلفن های هوشمند و ابزارهای دیگری که به پردازش گرافیکی نیاز دارند به کار می روند. بهره وری مواد در ترانزیستور ها سه بعدی به دلیل جهش الکترون ها به همه جهت ها، آسیب می بیند اما در ترانزیستور های دو بعدی نازک که از منواکسید قلع ویا اکسید روی ساخته شده اند فضای کمتری برای آشفتگی الکترون ها باقی می ماند.

افزایش سرعت رایانه

استاد یار مهندسی در دانشگاه یوتا در یک بیانیه مطبوعاتی گفت: الکترون ها (در مواد دو بعدی) تنها می تواند در یک لایه حرکت کنند بنابراین سرعت آنها بسیار سریعتر می شود.که این موضوع باعث افزایش سرعت رایانه با یک ماده نیمه هادی می شود. استفاده از مواد دو بعدی با ضخامت اتمی مشابه مانند گرافن و دی سولفید مولیبدن در حوزه الکترونیک نوید بخش به نظر می آید. اما این مواد تنها می توانند حرکت الکترون های منفی را تسهیل کنند.

[irp posts=”168″ name=”فراماده‌ای فراتر از سرعت کامپیوترها و مدارات الکترونیکی دیجیتال”]

منوکسید قلع حرکت الکترون های منفی و شارژ های مثبت را میسر می سازد. این ماده جدید فواید دیگری نیز دارد، از جمله این که ماده ترانزیستور بیش از حد گرم نمی شوند زیرا حرکت الکترون ها در یک شکل دو بعدی اصطحکاک کمتری ایجاد می کند و این دیگر این که این ماده کار آمدتر نیز هست و به انرژی باتری کمتری نیاز دارد. نویسنده: علی ائلدار جعفریان

]]]]> ]]>

دیدگاهتان را بنویسید