نحوی اتصال P-N دیود کریستالی ترانزیستور

در سری آموزشی الکترونیک و سخت افزار کامپیوتر به نحوی اتصال P-N دیود کریستالی ترانزیستور در الکترونیک می پردازیم و شناخت پایه ای قطعات الکترونیکی که ساختار دیودها و ترانزیستورها را تشکیل می دهد می رسیم : هرگاه دو کریستال نیمه هادی نوع N-P به هم اتصال یابند، الکترون های آزاد نیمه هادی نوع N که در نزدیک محل اتصال P-N قرار دارند به منطقه ی P نفوذ می نمایند و با حفره های کریستال نوع ترکیب P می شوند و به این ترتیب، حفرهایی از بین می روند و الکترون های آزاد به صورت الکترون های ظرفیت در می آیند.

 نحوی اتصال P-N دیود کریستالی ترانزیستور

نحوی پیوند دیود کریستالی ترانزیستور در الکترونیک

عبور یک الکترون از محل اتصال سبب ایجاد یک جفت یون می شود، زیرا وقتی الکترونی از ناحیه N به ناحیه ی P وارد می شود، در ناحیه ی N یک اتم پنج ظرفیتی الکترونی رااز دست می دهد و به یون مثبت تبدیل می شود و در مقابل، درناحیه ی P یک اتم سه ظرفیتی الکترونی را دریافت می کند و سرانجام ، به یون منفی تبدیل می شود؛ازاین رو در نحوی اتصال P-N دیودکریستالی ترانزیستور این ترکیب مجدد الکترون ها با حفره ها در محل پیوند تعداد زیاذی یون مثبت و منفی را ایجاد می کند. این یون ها در کریستال ثابت هستند، زیرا به علت پیوند کوالانس نمی توانند مانند الکترون های آزاد حرکت نمایند؛سپس در محل پیوند ناحیه ای به نام لایه ی ((تخلیه ناحیه)) به وجود می آید که در آن حامل های هدایت الکتریکی (الکترون ها و حفره ها) وجود ندارند.

[irp posts=”212″ name=”ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی”]

مطلب پایانی

به ناحیه ی تخلیه ناحیه ی سد هم گفته می شود. در بحث دیود کریستالی ترانزیستور در الکترونیک به آنجا رسیدیم که یون های مثبت و منفی در ناحیه ی تخلیه سبب ایجاد میدان الکتریکی می شوند. این میدان الکتریکی با عبور الکترون های آزاد از محل اتصال مخالفت می کند. هرگاه میدان ایجاد شده به حدی برسد که مانع عبور الکترون از محل اتصال گردد حالت ((تعادل)) به وجود می آید و به این صورت، دیود کریستالی ساخته می شود.در ناحیه تخلیه ، ولتاژ ایجاد شده ((پتانسیل سد)) نام دارد . مقدار ولتاژ سد برای دیود سیلیکنی ،حدود 0/7 ولت و برای دیود ژرمانیمی حدود 0/2 ولت است.

نویسنده: ائلدار جعفریان

]]]]> ]]>

دیدگاهتان را بنویسید