ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی

پژوهشگران آمریکایی موفق شدند با خواص مکانیکی و الکتریکی اتصالات تک مولکولی تداخل کوانتومی برای ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی موجب شوند.تا اطلاعات بیشتری درباره تداخل کوانتومی برای ساخت ترانزیستور به دست آید، تداخل هایی که موجب رفتارهای غیر عادی در خواص انتقال این ساختارها می شود.این پروژه می تواند به تولید ادوات ترانزیستوری تک مولکولی کمک شایان کند.

 ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی

نحوی تولید ترانزیستور با تداخل کوانتومی

لتا ونماتارامن از دانشگاه کلمبیا می گوید به تولید ادوات ترانزیستوری تک مولکولی کمک شایانی کند. وی می افزاید تداخل کوانتومی نوعی ظهور خاصیت موجی – ذره ای است که در مقیاس کوانتومی ظاهر می شود.معمولا این رفتارها در الکترون می تواند برای کنترل جریان مورد استفاده قرار گیرد که در نتیجه رفتار ترانزیستور مانند را به همراه دارد. از سوی دیگر می توان از تداخل کوانتومی به عنوان ابزاری برای کنترل جریان در اتصالات مولکولی استفاده کرد.

 ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی

اخیرا یک تیم موفق شدند تا به استفاده از میکرسکوپ نیروی اتمی رسانا مقدار هدایت و نیرو را در این ساختارها اندازه گیری کنند. این گروه تحقیقاتی سه مولکول موسوم به ستیبن را طراحی و سنتز کردند به طوری که خواص انتقال الکترونیکی آنها با هم متفاوت است. این گروه تحقیقاتی ازجهت این مولکول ها را برگزیدند که آنها به راحتی می توانند تبدیل به اتصال شوند.  از سوی دیگر گروه های تیومتیل انتهایی در این مولکول ها می تواند به عنوان اتصالات الکتریکی جهت اتصال به الکترودهای طلا استفاده شود.

[irp posts=”190″ name=”جوهری حاوی گرافن با قابلیت پرینت و چاپ سریع”]

از آنجایی که تداخل کوانتومی در این ساختارهای مولکولی وجود دارد بنابراین هدایت الکتریکی در اتصالات مولکولی تغییرات شدیدی دارد. در این پروژه برای اولین بار چنین تغییراتی اندازه گیری شده است. با این ویژگی ها می توان از تداخل کوانتومی برای ساخت ترانزیستور با تداخل کوانتومی استفاده کرد. در چنین ترانزیستوری به جای استفاده از خاصیت ذره ایاز خاصیت موجی الکترون استفاده می شود.

منبع: Nano Letters نویسنده: علی ائلدارجعفریان

 

 

]]]]> ]]>

دیدگاهتان را بنویسید